제85.41호 — 29개 세번(10자리)
HSK
8541 반도체 디바이스(예: 다이오드ㆍ트랜지스터ㆍ반도체 기반 트랜스듀서), 감광성 반도체 디바이스(광전지는 모듈에 조립되었거나 패널로 구성되었는지 여부와 관계없이 포함한다), 발광다이오드[(엘이디), 다른 발광다이오드와 결합되었는지 여부과 관계없이 포함한다], 장착된 압전기 결정소자
10 다이오드(감광성 다이오드나 발광다이오드는 제외한다)
1000칩, 다이스와 절단되지 않은 웨이퍼
9000기타
2 트랜지스터(감광성 트랜지스터는 제외한다)
21 전력 낭비율이 1와트 미만인 것
1000칩, 다이스와 절단되지 않은 웨이퍼
9000기타
29 기타
1000칩, 다이스와 절단되지 않은 웨이퍼
9000기타
30 사이리스터(thyristor), 다이액(diac), 트라이액(triac)(감광성 디바이스는 제외한다)
1000칩, 다이스와 절단되지 않은 웨이퍼
2000사이리스터(thyristor)
3000다이액(diac)
4000트라이액(triac)
4 감광성 반도체 디바이스(광전지는 모듈에 조립되었거나 패널로 구성되었는지 여부와 관계없이 포함한다)와 발광다이오드(엘이디)
41 발광다이오드(엘이디)
1000레이저소자
9000기타
420000광전지(모듈에 조립되었거나 패널로 구성된 것은 제외한다)
430000광전지(모듈에 조립되었거나 패널로 구성된 것으로 한정한다)
49 기타
1000칩, 다이스와 절단되지 않은 웨이퍼
2000광전도 셀
3000전하결합소자
9000기타
5 그 밖의 반도체 디바이스
51 반도체 기반 트랜스듀서
1000센서
2000액추에이터
3000공진기
4000오실레이터
59 기타
1000칩, 다이스와 절단되지 않은 웨이퍼
9000기타
60 장착된 압전기 결정소자
1000수정진동자
9000기타
90 부분품
2000다이오드의 것
3000트랜지스터의 것
9000기타