| 8541 | | | 반도체 디바이스(예: 다이오드ㆍ트랜지스터ㆍ반도체 기반 트랜스듀서), 감광성 반도체 디바이스(광전지는 모듈에 조립되었거나 패널로 구성되었는지 여부와 관계없이 포함한다), 발광다이오드[(엘이디), 다른 발광다이오드와 결합되었는지 여부과 관계없이 포함한다], 장착된 압전기 결정소자 |
| | 10 | | 다이오드(감광성 다이오드나 발광다이오드는 제외한다) |
| | | 1000 | 칩, 다이스와 절단되지 않은 웨이퍼 |
| | | 9000 | 기타 |
| | 2 | | 트랜지스터(감광성 트랜지스터는 제외한다) |
| | 21 | | 전력 낭비율이 1와트 미만인 것 |
| | | 1000 | 칩, 다이스와 절단되지 않은 웨이퍼 |
| | | 9000 | 기타 |
| | 29 | | 기타 |
| | | 1000 | 칩, 다이스와 절단되지 않은 웨이퍼 |
| | | 9000 | 기타 |
| | 30 | | 사이리스터(thyristor), 다이액(diac), 트라이액(triac)(감광성 디바이스는 제외한다) |
| | | 1000 | 칩, 다이스와 절단되지 않은 웨이퍼 |
| | | 2000 | 사이리스터(thyristor) |
| | | 3000 | 다이액(diac) |
| | | 4000 | 트라이액(triac) |
| | 40 | | 하위 분류 |
| | | 1000 | 세번 |
| | | 2010 | 세번 |
| | | 90 | 세번 |
| | | 9010 | 세번 |
| | | 21 | 세번 |
| | | 22 | 세번 |
| | | 29 | 세번 |
| | | 30 | 세번 |
| | | 90 | 세번 |
| | 50 | | 하위 분류 |
| | | 1000 | 세번 |
| | | 2000 | 세번 |
| | | 9000 | 세번 |
| | 60 | | 장착된 압전기 결정소자 |
| | | 1000 | 수정진동자 |
| | | 9000 | 기타 |
| | 90 | | 부분품 |
| | | 2000 | 다이오드의 것 |
| | | 3000 | 트랜지스터의 것 |
| | | 9000 | 기타 |